FDS8333C Todos los transistores

 

FDS8333C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS8333C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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FDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  fairchild semi
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FDS8333C

August 2002 FDS8333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs General Description Features These N & P-Channel MOSFETs are Q1 4.1 A, 30V. R = 80 m @ V = 10 V DS(ON) GSproduced using Fairchild Semiconductors R = 130 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSadvanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state Q2 3.4 A, 30V. R = 130 m @ V

 ..2. Size:1492K  cn vbsemi
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FDS8333C

FDS8333Cwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

Otros transistores... FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , 8N60 , FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N .

 

 
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