Справочник MOSFET. FDS8333C

 

FDS8333C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS8333C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для FDS8333C

 

 

FDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  fairchild semi
 fds8333c.pdf

FDS8333C FDS8333C

August 2002 FDS8333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs General Description Features These N & P-Channel MOSFETs are Q1 4.1 A, 30V. R = 80 m @ V = 10 V DS(ON) GSproduced using Fairchild Semiconductors R = 130 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSadvanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state Q2 3.4 A, 30V. R = 130 m @ V

 ..2. Size:1492K  cn vbsemi
 fds8333c.pdf

FDS8333C FDS8333C

FDS8333Cwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top