Справочник MOSFET. FDS8333C

 

FDS8333C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS8333C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FDS8333C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  fairchild semi
 fds8333c.pdf pdf_icon

FDS8333C

August 2002 FDS8333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs General Description Features These N & P-Channel MOSFETs are Q1 4.1 A, 30V. R = 80 m @ V = 10 V DS(ON) GSproduced using Fairchild Semiconductors R = 130 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSadvanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state Q2 3.4 A, 30V. R = 130 m @ V

 ..2. Size:1492K  cn vbsemi
 fds8333c.pdf pdf_icon

FDS8333C

FDS8333Cwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

Другие MOSFET... FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , 8N60 , FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N .

History: BUZ83 | SFF240J | AP9972AGP | 2SK1404 | WMN30N80M3 | NCE60NF055F

 

 
Back to Top

 


 
.