FDS8333C - описание и поиск аналогов

 

FDS8333C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS8333C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для FDS8333C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS8333C даташит

 ..1. Size:134K  fairchild semi
 fds8333c.pdf pdf_icon

FDS8333C

August 2002 FDS8333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs General Description Features These N & P-Channel MOSFETs are Q1 4.1 A, 30V. R = 80 m @ V = 10 V DS(ON) GS produced using Fairchild Semiconductor s R = 130 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state Q2 3.4 A, 30V. R = 130 m @ V

 ..2. Size:1492K  cn vbsemi
 fds8333c.pdf pdf_icon

FDS8333C

FDS8333C www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

Другие MOSFET... FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , IRFB7545 , FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N .

History: K1307

 

 

 

 

↑ Back to Top
.