FNK10N25B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FNK10N25B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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FNK10N25B datasheet
fnk10n25b.pdf
FNK10N25B www.VBsemi.tw Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = 10 V Available 8.6 30 RoHS* 0.019 at VGS = 4.5 V 7.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N , IRFP064N , FQD13N10LTF , FQD20N06LE , FQU13N06 , FQU13N10 , FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 .
History: SVT033R5NAT
History: SVT033R5NAT
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Liste
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