FNK10N25B - описание и поиск аналогов

 

FNK10N25B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FNK10N25B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 typ Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для FNK10N25B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FNK10N25B даташит

 ..1. Size:842K  cn vbsemi
 fnk10n25b.pdf pdf_icon

FNK10N25B

FNK10N25B www.VBsemi.tw Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = 10 V Available 8.6 30 RoHS* 0.019 at VGS = 4.5 V 7.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие MOSFET... FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N , IRFP064N , FQD13N10LTF , FQD20N06LE , FQU13N06 , FQU13N10 , FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 .

History: KD3400SRG | ME4435

 

 

 

 

↑ Back to Top
.