FNK10N25B - аналоги и даташиты транзистора

 

FNK10N25B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FNK10N25B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для FNK10N25B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FNK10N25B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn vbsemi
 fnk10n25b.pdf pdf_icon

FNK10N25B

FNK10N25Bwww.VBsemi.twDual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = 10 V Available8.630RoHS*0.019 at VGS = 4.5 V 7.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие MOSFET... FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N , 5N50 , FQD13N10LTF , FQD20N06LE , FQU13N06 , FQU13N10 , FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 .

History: SIR418DP

 

 
Back to Top

 


 
.