FW232A-TL-E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FW232A-TL-E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FW232A-TL-E

FW232A-TL-E Datasheet (PDF)

..1. Size:1958K cn vbsemi
fw232a-tl-e.pdf

FW232A-TL-Ewww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

9.1. Size:30K sanyo
fw232.pdf

Ordering number : ENN6618FW232N-Channel Silicon MOSFETFW232Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 2.5V drive. 2129[FW232]851 : Source12 : Gate1140.2 3 : Source25.04 : Gate25 : Drain26 : Drain27 : Drain10.595 1.27 8 : Drain10.43SpecificationsSANYO : SOP8Absolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: