FW232A-TL-E - аналоги и даташиты транзистора

 

FW232A-TL-E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FW232A-TL-E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FW232A-TL-E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW232A-TL-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1958K  cn vbsemi
 fw232a-tl-e.pdf pdf_icon

FW232A-TL-E

FW232A-TL-Ewww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 9.1. Size:30K  sanyo
 fw232.pdf pdf_icon

FW232A-TL-E

Ordering number : ENN6618FW232N-Channel Silicon MOSFETFW232Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 2.5V drive. 2129[FW232]851 : Source12 : Gate1140.2 3 : Source25.04 : Gate25 : Drain26 : Drain27 : Drain10.595 1.27 8 : Drain10.43SpecificationsSANYO : SOP8Absolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter

Другие MOSFET... FR5505 , FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , IRF640N , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF .

History: RJK0456DPB | AP3407 | HM5N50I | HYG060N08NS1U

 

 
Back to Top

 


 
.