G2309 Todos los transistores

 

G2309 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2309
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de G2309 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1896K  cn vbsemi
 g2309.pdf pdf_icon

G2309

G2309www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)

Otros transistores... FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , IRF3710 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ .

History: KF4N65F | OSG60R180FF

 

 
Back to Top

 


 
.