Справочник MOSFET. G2309

 

G2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для G2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1896K  cn vbsemi
 g2309.pdf pdf_icon

G2309

G2309www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)

Другие MOSFET... FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , IRF3710 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ .

History: CEB06N7 | IPP80N04S2-H4 | ME2301GC | CEB05N65

 

 
Back to Top

 


 
.