GF4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GF4435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de GF4435 MOSFET
GF4435 Datasheet (PDF)
gf4435.pdf
GF4435www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 DG
Otros transistores... FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , P55NF06 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ .
Liste
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