Справочник MOSFET. GF4435

 

GF4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GF4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для GF4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GF4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1935K  cn vbsemi
 gf4435.pdf pdf_icon

GF4435

GF4435www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 DG

Другие MOSFET... FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , P55NF06 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ .

History: DMP22M2UPS-13 | STU13NM60N | NCE50N540K | IRFF9133 | IRFS241 | TK65L60V | SQJ148EP

 

 
Back to Top

 


 
.