GF4435 - описание и поиск аналогов

 

GF4435. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GF4435

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для GF4435

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GF4435 даташит

 ..1. Size:1935K  cn vbsemi
 gf4435.pdf pdf_icon

GF4435

GF4435 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G

Другие MOSFET... FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , IRF3710 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.