GT4953 Todos los transistores

 

GT4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de GT4953 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GT4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1990K  cn vbsemi
 gt4953.pdf pdf_icon

GT4953

GT4953www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

Otros transistores... FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , IRFB4227 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ .

 

 
Back to Top

 


 
.