Справочник MOSFET. GT4953

 

GT4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для GT4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1990K  cn vbsemi
 gt4953.pdf pdf_icon

GT4953

GT4953www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

Другие MOSFET... FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , IRFB4227 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ .

History: FHS100N09A | DMN2004VK | IPP80N06S2-05 | STP20NE06L | SSM6J507NU | TPC8025

 

 
Back to Top

 


 
.