GTT8205S Todos los transistores

 

GTT8205S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GTT8205S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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GTT8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2350K  cn vbsemi
 gtt8205s.pdf pdf_icon

GTT8205S

GTT8205Swww.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G23

Otros transistores... FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , IRFB4110 , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ , HAT2064RJ .

History: APT10040B2VFRG | PJM2302NSA-S

 

 
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