GTT8205S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GTT8205S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 typ Ohm
Encapsulados: TSOP6
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GTT8205S datasheet
gtt8205s.pdf
GTT8205S www.VBsemi.tw Dual N-Channel MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.024 at VGS = 4.5 V Available 6.0 100 % Rg Tested 20 RoHS* 0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 5.0 COMPLIANT TSOP6 D D Top View S1 1 6 G1 D1/D2 2 5 D1/D2 G1 G2 S2 G2 3
Otros transistores... FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , AON6414A , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ , HAT2064RJ .
History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G | NTD4969N-1G | HAT2016RJ
History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G | NTD4969N-1G | HAT2016RJ
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Liste
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