Справочник MOSFET. GTT8205S

 

GTT8205S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GTT8205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для GTT8205S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GTT8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2350K  cn vbsemi
 gtt8205s.pdf pdf_icon

GTT8205S

GTT8205Swww.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G23

Другие MOSFET... FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , IRFB4110 , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ , HAT2064RJ .

History: FW232A-TL-E | NDH8302P | STP14NM50N | STD120N4F6 | FQAF28N15 | CS8N80A8H | CS8N70FA9H2-G

 

 
Back to Top

 


 
.