GTT8205S - описание и поиск аналогов

 

GTT8205S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GTT8205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 typ Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для GTT8205S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GTT8205S даташит

 ..1. Size:2350K  cn vbsemi
 gtt8205s.pdf pdf_icon

GTT8205S

GTT8205S www.VBsemi.tw Dual N-Channel MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.024 at VGS = 4.5 V Available 6.0 100 % Rg Tested 20 RoHS* 0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 5.0 COMPLIANT TSOP6 D D Top View S1 1 6 G1 D1/D2 2 5 D1/D2 G1 G2 S2 G2 3

Другие MOSFET... FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , AON6414A , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , HAT2016RJ , HAT2029RJ , HAT2064RJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.