HAT2016RJ Todos los transistores

 

HAT2016RJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HAT2016RJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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HAT2016RJ datasheet

 ..1. Size:1056K  cn vbsemi
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HAT2016RJ

 6.1. Size:109K  renesas
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HAT2016RJ

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 6.2. Size:1639K  cn vbsemi
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HAT2016RJ

HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:65K  hitachi
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HAT2016RJ

HAT2019R N MOS FET ADJ-208-474 (Z) 96.06 2.5V SOP 8 5 6 7 8 4 3 2 5 6 7 8 1 D D D D 4 G 1, 2, 3 Source 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S S

Otros transistores... GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , IRFP250N , HAT2029RJ , HAT2064RJ , HM10N10K , HM2300 , HM2301KR , HM2305PR , HM2310 , HM2310PR .

History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G

 

 

 


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