HAT2016RJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HAT2016RJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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HAT2016RJ datasheet
rej03g1156 hat2016rds.pdf
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hat2016r.pdf
HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box
hat2019r.pdf
HAT2019R N MOS FET ADJ-208-474 (Z) 96.06 2.5V SOP 8 5 6 7 8 4 3 2 5 6 7 8 1 D D D D 4 G 1, 2, 3 Source 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S S
Otros transistores... GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ , HAT1024RJ , HAT1048RJ , IRFP250N , HAT2029RJ , HAT2064RJ , HM10N10K , HM2300 , HM2301KR , HM2305PR , HM2310 , HM2310PR .
History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G
History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G
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Liste
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