HAT2016RJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HAT2016RJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HAT2016RJ Datasheet (PDF)
hat2016rj.pdf

HAT2016RJwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box
rej03g1156 hat2016rds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
hat2016r.pdf

HAT2016Rwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box
hat2019r.pdf

HAT2019R N MOS FETADJ-208-474 (Z)96.06 2.5V SOP856784325 6 7 8 1D D D D4G1, 2, 3 Source4 Gate5, 6, 7, 8 DrainS S
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FQD18N20V2TM | IXFV18N60P | NDT6N70 | SSD70N04-06D | STP60N05FI | IPD50R280CE | WMN28N60C4
History: FQD18N20V2TM | IXFV18N60P | NDT6N70 | SSD70N04-06D | STP60N05FI | IPD50R280CE | WMN28N60C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450