HS50N06DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HS50N06DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO252

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HS50N06DA datasheet

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HS50N06DA

HS50N06DA www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

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HS50N06DA

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HS50N06DA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Otros transistores... HM2310, HM2310PR, HM25P06K, HM3400PR, HM4409, HM4410, HM70P04K, HM8810E, SKD502T, IM2132, IM4435G, IPP048N04, IPP048N06, IRF3410, IRF4435TR, IRF5305STR, IRF540NSTRPBF