HS50N06DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HS50N06DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HS50N06DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HS50N06DA даташит

 ..1. Size:988K  cn vbsemi
 hs50n06da.pdf pdf_icon

HS50N06DA

HS50N06DA www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

 7.1. Size:1122K  thinkisemi
 hs50n06pa.pdf pdf_icon

HS50N06DA

 9.1. Size:547K  semihow
 hihs50n65h-sa.pdf pdf_icon

HS50N06DA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Другие IGBT... HM2310, HM2310PR, HM25P06K, HM3400PR, HM4409, HM4410, HM70P04K, HM8810E, SKD502T, IM2132, IM4435G, IPP048N04, IPP048N06, IRF3410, IRF4435TR, IRF5305STR, IRF540NSTRPBF