HS50N06DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HS50N06DA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 470 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252
HS50N06DA Datasheet (PDF)
hs50n06da.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HS50N06DAwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit
hs50n06pa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HS50N06PAPbHS50N06PAPb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A
hihs50n65h-sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Aug 2023HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation)650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeaturesKey Parameters Very Low VCE(sat)Parameter Value Unit Extremely low switching lossVCES 650 V Excellent stability and uniformityIC 50 A Soft Fast Reverse Recovery DiodeVCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolationEtot 1.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .