IRF5305STR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF5305STR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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IRF5305STR datasheet

 ..1. Size:2441K  cn vbsemi
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IRF5305STR

IRF5305STR www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Loa

 6.1. Size:700K  international rectifier
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IRF5305STR

PD - 95957 IRF5305S/LPbF Lead-Free www.irf.com 1 4/21/05 IRF5305S/LPbF 2 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 3 IRF5305S/LPbF 4 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 5 IRF5305S/LPbF 6 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 7 IRF5305S/LPbF D2Pak Package Outline D2Pak Part Marking Information T HIS IS AN IRF530S WIT H PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSE

 6.2. Size:700K  international rectifier
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IRF5305STR

PD - 95957 IRF5305S/LPbF Lead-Free www.irf.com 1 4/21/05 IRF5305S/LPbF 2 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 3 IRF5305S/LPbF 4 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 5 IRF5305S/LPbF 6 www.irf.com IRF5305S/LPbF www.irf.com 7 IRF5305S/LPbF D2Pak Package Outline D2Pak Part Marking Information T HIS IS AN IRF530S WIT H PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSE

 6.3. Size:171K  international rectifier
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IRF5305STR

PD - 91386C IRF5305S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF5305S) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF5305L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G P-Channel ID = -31A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

Otros transistores... HM8810E, HS50N06DA, IM2132, IM4435G, IPP048N04, IPP048N06, IRF3410, IRF4435TR, IRFB3607, IRF540NSTRPBF, IRF540ZP, IRF5802TR, IRF5803TRPBF, IRF5805TRPBF, IRF5851TR, IRF610P, IRF630P