IRF5305STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF5305STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IRF5305STR MOSFET
IRF5305STR Datasheet (PDF)
irf5305str.pdf

IRF5305STRwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Loa
irf5305lpbf irf5305spbf.pdf

PD - 95957IRF5305S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF5305S/LPbF2 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 3IRF5305S/LPbF4 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 5IRF5305S/LPbF6 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 7IRF5305S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationT HIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNATIONALASSE
irf5305spbf irf5305lpbf.pdf

PD - 95957IRF5305S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF5305S/LPbF2 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 3IRF5305S/LPbF4 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 5IRF5305S/LPbF6 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 7IRF5305S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationT HIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNATIONALASSE
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PD - 91386CIRF5305S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF5305S)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF5305L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06 Fast SwitchingG P-ChannelID = -31A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve
Otros transistores... HM8810E , HS50N06DA , IM2132 , IM4435G , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , AON7506 , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP , IRF5802TR , IRF5803TRPBF , IRF5805TRPBF , IRF5851TR , IRF610P , IRF630P .
History: STP170N8F7 | SST80R600S2 | SE10015 | MTP12P05 | IRL3715ZPBF | CPC3701C | IPI120N10S4-03
History: STP170N8F7 | SST80R600S2 | SE10015 | MTP12P05 | IRL3715ZPBF | CPC3701C | IPI120N10S4-03



Liste
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MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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