Справочник MOSFET. IRF5305STR

 

IRF5305STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5305STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF5305STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5305STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2441K  cn vbsemi
 irf5305str.pdf pdf_icon

IRF5305STR

IRF5305STRwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Loa

 6.1. Size:700K  international rectifier
 irf5305lpbf irf5305spbf.pdf pdf_icon

IRF5305STR

PD - 95957IRF5305S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF5305S/LPbF2 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 3IRF5305S/LPbF4 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 5IRF5305S/LPbF6 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 7IRF5305S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationT HIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNATIONALASSE

 6.2. Size:700K  international rectifier
 irf5305spbf irf5305lpbf.pdf pdf_icon

IRF5305STR

PD - 95957IRF5305S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF5305S/LPbF2 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 3IRF5305S/LPbF4 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 5IRF5305S/LPbF6 www.irf.comIRF5305S/LPbFwww.irf.com 7IRF5305S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationT HIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNATIONALASSE

 6.3. Size:171K  international rectifier
 irf5305s.pdf pdf_icon

IRF5305STR

PD - 91386CIRF5305S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF5305S)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF5305L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06 Fast SwitchingG P-ChannelID = -31A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HM8810E , HS50N06DA , IM2132 , IM4435G , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , AON7506 , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP , IRF5802TR , IRF5803TRPBF , IRF5805TRPBF , IRF5851TR , IRF610P , IRF630P .

 

 
Back to Top

 


 
.