IRF5851TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF5851TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF5851TR

IRF5851TR Datasheet (PDF)

..1. Size:823K cn vbsemi
irf5851tr.pdf

IRF5851TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at

7.1. Size:172K international rectifier
irf5851.pdf

PD-93998AIRF5851HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-Ch P-Chl Dual N and P Channel MOSFETG1 D11 6l Surface MountVDSS 20V -20Vl Available in Tape & ReelS1S2 2 5l Low Gate ChargeG2 3 4 D2RDS(on) 0.090 0.135DescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievethe extremely low on

8.1. Size:239K international rectifier
irf5852.pdf

PD - 93999IRF5852HEXFET Power MOSFET)VDSS RDS(on) max () ID))) Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 20 V 0.090@VGS = 4.5V 2.7A Surface Mount0.120@VGS = 2.5V 2.2A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese N-channel MOSFETs from International RectifierG1 1 6 D1utilize advanced processing techniques to achieve theextremel

8.2. Size:126K international rectifier
irf5850.pdf

PD - 93947IRF5850HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate ChargeRDS(on) = 0.135Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprovides the desi

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: