IRF5851TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF5851TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
IRF5851TR Datasheet (PDF)
irf5851tr.pdf
IRF5851TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at
irf5851.pdf
PD-93998AIRF5851HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-Ch P-Chl Dual N and P Channel MOSFETG1 D11 6l Surface MountVDSS 20V -20Vl Available in Tape & ReelS1S2 2 5l Low Gate ChargeG2 3 4 D2RDS(on) 0.090 0.135DescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievethe extremely low on
irf5852.pdf
PD - 93999IRF5852HEXFET Power MOSFET)VDSS RDS(on) max () ID))) Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 20 V 0.090@VGS = 4.5V 2.7A Surface Mount0.120@VGS = 2.5V 2.2A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese N-channel MOSFETs from International RectifierG1 1 6 D1utilize advanced processing techniques to achieve theextremel
irf5850.pdf
PD - 93947IRF5850HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate ChargeRDS(on) = 0.135Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprovides the desi
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
