IRF7470TRPBF-10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7470TRPBF-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7470TRPBF-10 datasheet

 0.1. Size:845K  cn vbsemi
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IRF7470TRPBF-10

IRF7470TRPBF&-10 www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 12 40 15 nC 100 % Rg Tested 0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS Synchronous

 7.1. Size:119K  international rectifier
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IRF7470TRPBF-10

PD- 93913C IRF7470 SMPS MOSFET Applications HEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Converters VDSS RDS(on) max ID with Synchronous Rectification 40V 13m 10A Benefits Ultra-Low Gate Impedance A A Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 1 8 S D 2 7 Fully Characterized Avalanche Voltage S D and Current 3 6 S D 4 5 G D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Symbol Paramet

 7.2. Size:128K  international rectifier
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IRF7470TRPBF-10

PD- 95276 IRF7470PbF SMPS MOSFET Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency DC-DC Converters VDSS RDS(on) max ID with Synchronous Rectification 40V 13m 10A l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance A A 1 8 l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S D 2 7 S D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 3 6 S D 4 5 G D SO-8 Top View Absolute Maximum Rati

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