IRF7470TRPBF-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7470TRPBF-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 33 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7470TRPBF-10

IRF7470TRPBF-10 Datasheet (PDF)

0.1. Size:845K cn vbsemi
irf7470trpbf-10.pdf

IRF7470TRPBF&-10www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous

7.1. Size:119K international rectifier
irf7470.pdf

PD- 93913CIRF7470SMPS MOSFETApplications HEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification 40V 13m 10ABenefits Ultra-Low Gate ImpedanceAA Very Low RDS(on) at 4.5V VGS1 8S D2 7 Fully Characterized Avalanche VoltageS Dand Current3 6S D4 5G DSO-8Top ViewAbsolute Maximum RatingsSymbol Paramet

7.2. Size:128K international rectifier
irf7470pbf.pdf

PD- 95276IRF7470PbFSMPS MOSFETApplications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification 40V 13m 10Al Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate ImpedanceAA1 8l Very Low RDS(on) at 4.5V VGSS D2 7S Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand Current3 6S D4 5G DSO-8Top ViewAbsolute Maximum Rati

7.3. Size:128K infineon
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