Справочник MOSFET. IRF7470TRPBF-10

 

IRF7470TRPBF-10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7470TRPBF-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF7470TRPBF-10

 

 

IRF7470TRPBF-10 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:845K  cn vbsemi
 irf7470trpbf-10.pdf

IRF7470TRPBF-10 IRF7470TRPBF-10

IRF7470TRPBF&-10www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous

 7.1. Size:119K  international rectifier
 irf7470.pdf

IRF7470TRPBF-10 IRF7470TRPBF-10

PD- 93913CIRF7470SMPS MOSFETApplications HEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification 40V 13m 10ABenefits Ultra-Low Gate ImpedanceAA Very Low RDS(on) at 4.5V VGS1 8S D2 7 Fully Characterized Avalanche VoltageS Dand Current3 6S D4 5G DSO-8Top ViewAbsolute Maximum RatingsSymbol Paramet

 7.2. Size:128K  international rectifier
 irf7470pbf.pdf

IRF7470TRPBF-10 IRF7470TRPBF-10

PD- 95276IRF7470PbFSMPS MOSFETApplications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification 40V 13m 10Al Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate ImpedanceAA1 8l Very Low RDS(on) at 4.5V VGSS D2 7S Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand Current3 6S D4 5G DSO-8Top ViewAbsolute Maximum Rati

 7.3. Size:128K  infineon
 irf7470pbf.pdf

IRF7470TRPBF-10 IRF7470TRPBF-10

PD- 95276IRF7470PbFSMPS MOSFETApplications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification 40V 13m 10Al Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate ImpedanceAA1 8l Very Low RDS(on) at 4.5V VGSS D2 7S Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand Current3 6S D4 5G DSO-8Top ViewAbsolute Maximum Rati

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top