IRFIZ24GP Todos los transistores

 

IRFIZ24GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIZ24GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 typ Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFIZ24GP datasheet

 ..1. Size:2575K  cn vbsemi
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IRFIZ24GP

IRFIZ24GP www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RoHS RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.027 f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 95 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 27 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 46 Dynamic dV/dt Rating Configuration Single

 0.1. Size:1555K  international rectifier
irfiz24g irfiz24gpbf.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

IRFIZ24G, SiHFIZ24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 6.1. Size:919K  international rectifier
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IRFIZ24GP

PD - 94875 IRFIZ24GPbF Lead-Free 12/9/03 Document Number 91187 www.vishay.com 1 IRFIZ24GPbF Document Number 91187 www.vishay.com 2 IRFIZ24GPbF Document Number 91187 www.vishay.com 3 IRFIZ24GPbF Document Number 91187 www.vishay.com 4 IRFIZ24GPbF Document Number 91187 www.vishay.com 5 IRFIZ24GPbF Document Number 91187 www.vishay.com 6 IRFIZ24GPbF TO-220 Full-

 6.2. Size:1554K  vishay
irfiz24g sihfiz24g.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

IRFIZ24G, SiHFIZ24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

Otros transistores... IRF9310TRPBF-9 , IRF9332TR , IRF9335TRPBF , IRF9389TR , IRF9530P , IRFBC30P , IRFH3702TR , IRFI9540GP , IRFP250N , IRFL110TR , IRFL210TRPBF , IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , IRFL9110TRPBF , IRFR024NTR , IRFR110TR , IRFR1205TR .

History: IRFL9110TRPBF

 

 

 


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