Справочник MOSFET. IRFIZ24GP

 

IRFIZ24GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFIZ24GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFIZ24GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFIZ24GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2575K  cn vbsemi
 irfiz24gp.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

IRFIZ24GPwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 0.027f = 60 Hz) COMPLIANTQg (Max.) (nC) 95 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfiguration Single

 0.1. Size:1555K  international rectifier
 irfiz24g irfiz24gpbf.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 6.1. Size:919K  international rectifier
 irfiz24g.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

PD - 94875IRFIZ24GPbF Lead-Free12/9/03Document Number: 91187 www.vishay.com1IRFIZ24GPbFDocument Number: 91187 www.vishay.com2IRFIZ24GPbFDocument Number: 91187 www.vishay.com3IRFIZ24GPbFDocument Number: 91187 www.vishay.com4IRFIZ24GPbFDocument Number: 91187 www.vishay.com5IRFIZ24GPbFDocument Number: 91187 www.vishay.com6IRFIZ24GPbFTO-220 Full-

 6.2. Size:1554K  vishay
 irfiz24g sihfiz24g.pdf pdf_icon

IRFIZ24GP

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9310TRPBF-9 , IRF9332TR , IRF9335TRPBF , IRF9389TR , IRF9530P , IRFBC30P , IRFH3702TR , IRFI9540GP , AON7408 , IRFL110TR , IRFL210TRPBF , IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , IRFL9110TRPBF , IRFR024NTR , IRFR110TR , IRFR1205TR .

History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E

 

 
Back to Top

 


 
.