FDA032N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDA032N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 235 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 169 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
FDA032N08 Datasheet (PDF)
fda032n08.pdf

January 2009FDA032N08tmN-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2mFeatures Description RDS(on) = 2.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors adcanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low Gate Chargemaintain super
fda032n08.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: PJS6416 | FQP44N08



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