FDA032N08 - описание и поиск аналогов

 

FDA032N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA032N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 235 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA032N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA032N08 даташит

 ..1. Size:547K  fairchild semi
 fda032n08.pdf pdf_icon

FDA032N08

January 2009 FDA032N08 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2m Features Description RDS(on) = 2.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- ductor s adcanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low Gate Charge maintain super

 ..2. Size:899K  onsemi
 fda032n08.pdf pdf_icon

FDA032N08

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FCPF22N60NT , STU420S , FCPF7N60 , STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , IRFZ48N , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 .

History: IRF6722MPBF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.