Справочник MOSFET. FDA032N08

 

FDA032N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA032N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 235 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 169 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA032N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA032N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  fairchild semi
 fda032n08.pdf pdf_icon

FDA032N08

January 2009FDA032N08tmN-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2mFeatures Description RDS(on) = 2.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors adcanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low Gate Chargemaintain super

 ..2. Size:899K  onsemi
 fda032n08.pdf pdf_icon

FDA032N08

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FCPF22N60NT , STU420S , FCPF7N60 , STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , RU7088R , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 .

History: FQP4N90C

 

 
Back to Top

 


 
.