FDA15N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDA15N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN

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FDA15N65 Datasheet (PDF)

..1. Size:876K fairchild semi
fda15n65.pdf

January 2007TMUniFETFDA15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 16A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especially tailor

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Liste

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