Справочник MOSFET. FDA15N65

 

FDA15N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA15N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48.5 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA15N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA15N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  fairchild semi
 fda15n65.pdf pdf_icon

FDA15N65

January 2007TMUniFETFDA15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 16A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... STU420S , FCPF7N60 , STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , STP65NF06 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F .

History: 3SK143Q

 

 
Back to Top

 


 
.