FDA15N65 - описание и поиск аналогов

 

FDA15N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA15N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA15N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA15N65 даташит

 ..1. Size:876K  fairchild semi
 fda15n65.pdf pdf_icon

FDA15N65

January 2007 TM UniFET FDA15N65 650V N-Channel MOSFET Features Description 16A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF) This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... STU420S , FCPF7N60 , STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , IRFZ46N , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F .

History: FDA16N50F109

 

 

 


 
↑ Back to Top
.