Справочник MOSFET. FDA15N65

 

FDA15N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDA15N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FDA15N65

 

 

FDA15N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  fairchild semi
 fda15n65.pdf

FDA15N65 FDA15N65

January 2007TMUniFETFDA15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 16A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top