FDA18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDA18N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 239 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA18N50

FDA18N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:732K fairchild semi
fda18n50.pdf

October 2006TMUniFETFDA18N50500V N-Channel MOSFETFeatures Description 19A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially tailored to

..2. Size:1777K onsemi
fda18n50.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , 2N7000 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: