FDA18N50 Todos los transistores

 

FDA18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA18N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 239 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 45 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.265 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FDA18N50 Datasheet (PDF)

1.1. fda18n50.pdf Size:732K _fairchild_semi

FDA18N50
FDA18N50

October 2006 TM UniFET FDA18N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 19A, 500V, RDS(on) = 0.265? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast swit

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