FDA18N50 Todos los transistores

 

FDA18N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA18N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 239 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FDA18N50 PDF Specs

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FDA18N50

October 2006 TM UniFET FDA18N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 19A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored to... See More ⇒

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FDA18N50

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History: CED05P03

 

 
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