FDA18N50 - описание и поиск аналогов

 

FDA18N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 239 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA18N50 даташит

 ..1. Size:732K  fairchild semi
 fda18n50.pdf pdf_icon

FDA18N50

October 2006 TM UniFET FDA18N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 19A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1777K  onsemi
 fda18n50.pdf pdf_icon

FDA18N50

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , IRLB3034 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.