Справочник MOSFET. FDA18N50

 

FDA18N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDA18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 239 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FDA18N50

 

 

FDA18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  fairchild semi
 fda18n50.pdf

FDA18N50 FDA18N50

October 2006TMUniFETFDA18N50500V N-Channel MOSFETFeatures Description 19A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1777K  onsemi
 fda18n50.pdf

FDA18N50 FDA18N50

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... STU419S , FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , 2N7000 , FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F .

 

 
Back to Top