FDA20N50F109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDA20N50F109
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59.5 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN

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FDA20N50F109 Datasheet (PDF)

5.1. Size:611K fairchild semi
fda20n50f.pdf

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6.1. Size:740K fairchild semi
fda20n50 f109.pdf

July 2007TMUniFETFDA20N50 / FDA20N50_F109500V N-Channel MOSFETFeatures Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especial

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Liste

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