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FDA20N50_F109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA20N50_F109

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 59.5 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FDA20N50_F109 Datasheet (PDF)

1.1. fda20n50 f109.pdf Size:740K _fairchild_semi

FDA20N50_F109
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July 2007 TM UniFET FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET Features Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has been especially tailored t

2.1. fda20n50f.pdf Size:611K _fairchild_semi

FDA20N50_F109
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October 2007 UniFETTM FDA20N50F tm N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26? Features Description RDS(on) = 0.22? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC ) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF ) This advance technology has been especially tailor

 

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