FDA20N50F109 Todos los transistores

 

FDA20N50F109 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA20N50F109
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de FDA20N50F109 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDA20N50F109 datasheet

 5.1. Size:611K  fairchild semi
 fda20n50f.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

October 2007 UniFETTM FDA20N50F tm N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26 Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC ) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF ) This advance technology has been es

 6.1. Size:740K  fairchild semi
 fda20n50 f109.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

July 2007 TM UniFET FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET Features Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has been especial

Otros transistores... FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , IRF9640 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 .

 

 
Back to Top

 


 
.