FDA20N50F109 - описание и поиск аналогов

 

FDA20N50F109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA20N50F109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA20N50F109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA20N50F109 даташит

 5.1. Size:611K  fairchild semi
 fda20n50f.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

October 2007 UniFETTM FDA20N50F tm N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26 Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC ) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF ) This advance technology has been es

 6.1. Size:740K  fairchild semi
 fda20n50 f109.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

July 2007 TM UniFET FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET Features Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has been especial

Другие MOSFET... FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , IRF9640 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.