Справочник MOSFET. FDA20N50F109

 

FDA20N50F109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA20N50F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA20N50F109 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:611K  fairchild semi
 fda20n50f.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

October 2007UniFETTMFDA20N50FtmN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC )stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF )This advance technology has been es

 6.1. Size:740K  fairchild semi
 fda20n50 f109.pdf pdf_icon

FDA20N50F109

July 2007TMUniFETFDA20N50 / FDA20N50_F109500V N-Channel MOSFETFeatures Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especial

Другие MOSFET... FCPF7N60NT , STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , IRLZ44N , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 .

History: SI3443DVPBF | SWI8N65DB | IRFS740 | APT19F100J | KNL42150A | SUP50N03-5M1P | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.