IRLML2803TRPBF Todos los transistores

 

IRLML2803TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML2803TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLML2803TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  cn vbsemi
 irlml2803trpbf.pdf pdf_icon

IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-

 5.1. Size:221K  international rectifier
 irlml2803gpbf.pdf pdf_icon

IRLML2803TRPBF

PD - 96164AIRLML2803GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFET G 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprint3 Dl Low Profile (

 5.2. Size:252K  international rectifier
 irlml2803pbf.pdf pdf_icon

IRLML2803TRPBF

IRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = 30Vl Low Profile (

 5.3. Size:100K  international rectifier
 irlml2803.pdf pdf_icon

IRLML2803TRPBF

PD - 9.1258CIRLML2803HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFETVDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

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History: SFP043N100C3 | HAT2119H | KP746B | YJQ20N04A | RCX511N25 | 2N60L-TF3-T | P9006EDA

 

 
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