IRLML2803TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLML2803TRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для IRLML2803TRPBF
IRLML2803TRPBF Datasheet (PDF)
irlml2803trpbf.pdf
IRLML2803TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-
irlml2803gpbf.pdf
PD - 96164AIRLML2803GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFET G 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprint3 Dl Low Profile (
irlml2803pbf.pdf
PD - 94974BIRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (
irlml2803.pdf
PD - 9.1258CIRLML2803HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFETVDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (
irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf
IRLML2803PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max G 10.25 (@V = 10V)GSQg (typical) 3.3 nC 3 DID 1.2 AS 2(@T = 25C)AMicro3Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL1, Industr
irlml2803pbf.pdf
IRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = 30Vl Low Profile (
irlml2803.pdf
IRLML2803SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.0 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARAC
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F