100N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 100N03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
100N03A Datasheet (PDF)
100n03a.pdf

RUMW UMW 100N03A30V N-Channel PowerUMW 100N03AMosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =90ARDS(ON),3.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON), 6.4m(Typ) @ VGS =4.5VLow on resistanceLow gate chargeFast s
jmtg100n03a.pdf

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... IRLR2905TR , IRLR2905ZTR , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR , AON6414A , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , AO3416A .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLF8N65SV | SLF80R830GT | SLF70R380E7C | SLF70R280E7C | SLF65R600E7C | SLF65R380E7C | SLF65R280E7C | SLF65R1K2E7 | SLF65R180E7C | SLF4N65SV | STF4N90K5 | 2SK737 | 24N6LG | SLD65R1K2E7 | SLD60N04TB | SLD40N03TB
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