100N03A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 100N03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для 100N03A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
100N03A даташит
100n03a.pdf
R UMW UMW 100N03A 30V N-Channel Power UMW 100N03A Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.8 m (Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.4m (Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast s
jmtg100n03a.pdf
JMTG100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 30A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... IRLR2905TR , IRLR2905ZTR , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR , IRFB4227 , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , AO3416A .
History: 2SK3835 | AOC2870 | WMP07N80M3 | AOI518 | IRF8252
History: 2SK3835 | AOC2870 | WMP07N80M3 | AOI518 | IRF8252
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f







