100N03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 100N03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для 100N03A
100N03A Datasheet (PDF)
100n03a.pdf

RUMW UMW 100N03A30V N-Channel PowerUMW 100N03AMosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =90ARDS(ON),3.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON), 6.4m(Typ) @ VGS =4.5VLow on resistanceLow gate chargeFast s
jmtg100n03a.pdf

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... IRLR2905TR , IRLR2905ZTR , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR , IRF3710 , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , AO3416A .
History: MEE4294HT
History: MEE4294HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f