SVT078R0ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT078R0ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVT078R0ND MOSFET
SVT078R0ND Datasheet (PDF)
svt078r0nd.pdf
RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf
SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3
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History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
Liste
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