SVT078R0ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVT078R0ND
   Código: 078RONT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 167 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 86 nC
   Tiempo de subida (tr): 92.9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 323 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SVT078R0ND Datasheet (PDF)

..1. Size:1010K umw-ic
svt078r0nd.pdf

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

5.1. Size:346K silan
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf