SVT078R0ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT078R0ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVT078R0ND MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SVT078R0ND datasheet
svt078r0nd.pdf
R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
Otros transistores... SI2305A , SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SPP20N60C3 , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D .
History: BUZ380 | BSR302N | 2SK2673 | SI4435DY-T1-E3 | AFN4172WSS8 | SL20N03
History: BUZ380 | BSR302N | 2SK2673 | SI4435DY-T1-E3 | AFN4172WSS8 | SL20N03
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079