SVT078R0ND Todos los transistores

 

SVT078R0ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT078R0ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVT078R0ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1010K  umw-ic
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SVT078R0ND

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

 5.1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT078R0ND

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT078R0ND

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

Otros transistores... SI2305A , SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , AON7410 , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D .

History: DAMI500N60 | 2SK2313 | 2SK1455 | AOWF25S65 | AOUS66414 | TSA50N20MK | MVB50P03HDLT4G

 

 
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