SVT078R0ND. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SVT078R0ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT078R0ND
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVT078R0ND даташит
svt078r0nd.pdf
R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
Другие MOSFET... SI2305A , SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SPP20N60C3 , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D .
History: STW56N65DM2
History: STW56N65DM2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079