Справочник MOSFET. SVT078R0ND

 

SVT078R0ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT078R0ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVT078R0ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT078R0ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1010K  umw-ic
svt078r0nd.pdfpdf_icon

SVT078R0ND

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

 5.1. Size:346K  silan
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdfpdf_icon

SVT078R0ND

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:442K  1
svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdfpdf_icon

SVT078R0ND

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... SI2305A , SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , AON7410 , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D .

History: SI2374DS | STW65N80K5 | CE3512K2 | 2SK4067I | TPCM8003-H | 6N80G-TA3-T | SWK028P04VT

 

 
Back to Top

 


 
.