ST18N10D Todos los transistores

 

ST18N10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ST18N10D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO252

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ST18N10D datasheet

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ST18N10D

ST18N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION ST18N10D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST18N10D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

Otros transistores... SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SVT078R0ND , SKD502T , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , STN4260 .

History: SL12N100T | SL20N03 | BSR302N | 2SK3574-Z | AFN4172WSS8 | SI4435DY-T1-E3

 

 

 

 

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