ST18N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ST18N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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ST18N10D Datasheet (PDF)

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st18n10d.pdf

ST18N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION ST18N10D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST18N10D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

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