Справочник MOSFET. ST18N10D

 

ST18N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST18N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ST18N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST18N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  stansontech
 st18n10d.pdf pdf_icon

ST18N10D

ST18N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION ST18N10D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST18N10D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

Другие MOSFET... SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SVT078R0ND , IRF9540N , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , STN4260 .

History: 2SK3857TK | AP2306AGN | 2SK3596-01L | BUK7Y7R2-60E | ZXMN3A01F | AP9467AGH-HF | HY5208W

 

 
Back to Top

 


 
.