ST18N10D - описание и поиск аналогов

 

ST18N10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST18N10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ST18N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST18N10D даташит

 ..1. Size:614K  stansontech
 st18n10d.pdf pdf_icon

ST18N10D

ST18N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION ST18N10D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST18N10D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

Другие MOSFET... SI2306A , SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SVT078R0ND , SKD502T , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , STN4260 .

History: HY3810PM | 2SK2957L | BR20N40 | SI1028X | SI4850DY-T1 | NTMS10P02R2 | AOD404

 

 

 

 

↑ Back to Top
.