STC6301D Todos los transistores

 

STC6301D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC6301D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
 

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STC6301D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  stansontech
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STC6301D

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

 9.1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6332STC6332STC6332STC6332N&P Pair Enhancement Mode MOSFET0.95A / -1ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistorusing high cell density DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance. This d

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History: STU4N62K3 | IRF7484Q | IXTY1N80 | SM3106NSU | AM6411P | AP2852GO | BSC072N04LD

 

 
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