Справочник MOSFET. STC6301D

 

STC6301D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STC6301D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6301D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  stansontech
 stc6301d.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

 9.1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6332STC6332STC6332STC6332N&P Pair Enhancement Mode MOSFET0.95A / -1ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistorusing high cell density DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance. This d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM3400DR | STB180N55F3 | SIR168DP | AO4928

 

 
Back to Top

 


 
.