STC6301D - описание и поиск аналогов

 

STC6301D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC6301D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

Аналог (замена) для STC6301D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6301D даташит

 ..1. Size:917K  stansontech
 stc6301d.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

 9.1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6332 STC6332 STC6332 STC6332 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 0.95A / -1A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This d

Другие MOSFET... SI2328A , SVT078R0ND , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , IRF1010E , STN2610D , STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G .

History: SM9990DSQG | SM3303PSQG | KX6N70 | SM2416NSAN | SM2307PSA | SM7340EHKP | SM1A27PSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.