Справочник MOSFET. STC6301D

 

STC6301D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STC6301D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для STC6301D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6301D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  stansontech
 stc6301d.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

 9.1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6301D

STC6332STC6332STC6332STC6332N&P Pair Enhancement Mode MOSFET0.95A / -1ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistorusing high cell density DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance. This d

Другие MOSFET... SI2328A , SVT078R0ND , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , IRF530 , STN2610D , STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | IXFH50N30Q3 | CHM5813ESQ2GP | BUK9575-55A

 

 
Back to Top

 


 
.