STN2610D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN2610D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
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STN2610D datasheet
stn2610d.pdf
STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de
Otros transistores... SVT078R0ND , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , IRFB3607 , STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P .
History: KNY3403A
History: KNY3403A
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Liste
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