STN2610D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN2610D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN2610D
STN2610D Datasheet (PDF)
stn2610d.pdf
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STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
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Liste
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