STN2610D Todos los transistores

 

STN2610D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN2610D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

STN2610D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  stansontech
 stn2610d.pdf pdf_icon

STN2610D

STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90

 

 
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