STN2610D - описание и поиск аналогов

 

STN2610D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2610D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252 TO251

Аналог (замена) для STN2610D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2610D даташит

 ..1. Size:764K  stansontech
 stn2610d.pdf pdf_icon

STN2610D

STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de

Другие MOSFET... SVT078R0ND , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , IRFB3607 , STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P .

History: IRF8304M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.