Справочник MOSFET. STN2610D

 

STN2610D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN2610D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для STN2610D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2610D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  stansontech
 stn2610d.pdf pdf_icon

STN2610D

STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de

Другие MOSFET... SVT078R0ND , ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , AON7506 , STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P .

History: ME7362 | APT8024B2LLG | BRCS30P10IP | HGN055N12SL | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.