Справочник MOSFET. STN2610D

 

STN2610D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STN2610D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251

 Аналог (замена) для STN2610D

 

 

STN2610D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  stansontech
 stn2610d.pdf

STN2610D STN2610D

STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A DESCRIPTION STN2610D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. FEATURE PIN CONFIGURATION l 60V/10.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V l 60V/8.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V l Super high density cell de

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top