STN4260 Todos los transistores

 

STN4260 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN4260

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOP8

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STN4260 datasheet

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STN4260

STN4260 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18A DESCRIPTION STN4260 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management and other battery powered circ

Otros transistores... ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , AON6380 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P .

History: LPM2301B3F | SM4804DSK | SM7340EHKP | JCS4N60CB | 2SK3496-01MR | SM2323PSA

 

 

 

 

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