STN4260 Todos los transistores

 

STN4260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN4260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STN4260 Datasheet (PDF)

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STN4260

STN4260 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18A DESCRIPTION STN4260 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management and other battery powered circ

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History: AON6734 | BSC072N04LD | SM3106NSU | AM6411P | IRF7484Q | PMZ760SN | IXTY1N80

 

 
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