STN4260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN4260
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de STN4260 MOSFET
STN4260 Datasheet (PDF)
stn4260.pdf
STN4260 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18A DESCRIPTION STN4260 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management and other battery powered circ
Otros transistores... ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , AON6380 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P .
History: STA6610 | 3400H | S10H06RN | SVS20N60TD2 | 7506 | FDS86252
History: STA6610 | 3400H | S10H06RN | SVS20N60TD2 | 7506 | FDS86252
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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