STN4260 - описание и поиск аналогов

 

STN4260. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN4260

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STN4260

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4260 даташит

 ..1. Size:730K  stansontech
 stn4260.pdf pdf_icon

STN4260

STN4260 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18A DESCRIPTION STN4260 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management and other battery powered circ

Другие MOSFET... ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , AON6380 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P .

History: MMD50R380P | SM3303PSQG | SI2307A | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | PTF10149 | SM2307PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.