Справочник MOSFET. STN4260

 

STN4260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN4260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STN4260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  stansontech
 stn4260.pdf pdf_icon

STN4260

STN4260 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18A DESCRIPTION STN4260 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management and other battery powered circ

Другие MOSFET... ST18N10D , ST2317S23RG , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , IRLZ44N , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P .

History: 2SK681A | NCE01P30K

 

 
Back to Top

 


 
.