FDA33N25 Todos los transistores

 

FDA33N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA33N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FDA33N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  fairchild semi
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FDA33N25

September 2007UniFETTMFDA33N25tmN-Channel MOSFET 250V, 33A, 0.094Features Description RDS(on) = 0.088 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 16.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 36nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advance technology has been

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History: SVSP20N60TD2

 

 
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