FDA33N25 Todos los transistores

 

FDA33N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA33N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FDA33N25 datasheet

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FDA33N25

September 2007 UniFETTM FDA33N25 tm N-Channel MOSFET 250V, 33A, 0.094 Features Description RDS(on) = 0.088 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 16.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 36nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF) This advance technology has been

Otros transistores... FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , AO4407A , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 .

History: SPD06N80C3

 

 

 


 
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