FDA33N25 - описание и поиск аналогов

 

FDA33N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA33N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA33N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA33N25 даташит

 ..1. Size:643K  fairchild semi
 fda33n25.pdf pdf_icon

FDA33N25

September 2007 UniFETTM FDA33N25 tm N-Channel MOSFET 250V, 33A, 0.094 Features Description RDS(on) = 0.088 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 16.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 36nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF) This advance technology has been

Другие MOSFET... FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , AO4407A , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 .

History: FDA20N50F109

 

 

 


 
↑ Back to Top
.