Справочник MOSFET. FDA33N25

 

FDA33N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA33N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA33N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA33N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  fairchild semi
 fda33n25.pdf pdf_icon

FDA33N25

September 2007UniFETTMFDA33N25tmN-Channel MOSFET 250V, 33A, 0.094Features Description RDS(on) = 0.088 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 16.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 36nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advance technology has been

Другие MOSFET... FDA20N50F109 , FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , AO3407 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 .

History: FRK9150R | SSS70N10A | FQP3N30

 

 
Back to Top

 


 
.