Справочник MOSFET. FDA33N25

 

FDA33N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDA33N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FDA33N25

 

 

FDA33N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  fairchild semi
 fda33n25.pdf

FDA33N25 FDA33N25

September 2007UniFETTMFDA33N25tmN-Channel MOSFET 250V, 33A, 0.094Features Description RDS(on) = 0.088 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 16.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 36nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advance technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top